該研發中心是為High-NA EUV而興建 ，最快於2027年引進設備，三星電子與ASML共同在韓國投資的半導體先進製程研發中心預計自2027年起引進High-NA 極紫外光（EUV）設備。最快將於202光算谷歌seo光算谷歌推广4年12月或2025年動工。 ？（文章來源：財聯社）三星表示，將根據市場<光算谷歌seostrong>光算谷歌推广狀況及客戶需求決定方向。因需經過許可流程，目前High-NA EUV仍處於審查推出時機的階段，總投光光算谷歌seo算谷歌推广資金額1兆韓元，